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揚(yáng)杰MG50P12E2 IGBT模塊產(chǎn)品參數(shù)、規(guī)格書以及應(yīng)用領(lǐng)域

發(fā)布時(shí)間：2023-07-28 10:12
信息摘要：
揚(yáng)杰MG50P12E2 IGBT模塊規(guī)格參數(shù)  產(chǎn)品類型：IGBT模塊  產(chǎn)品型號(hào)：MG50P12E2  產(chǎn)品描述：1200V 50A  產(chǎn)品封裝：E2   產(chǎn)品品牌：揚(yáng)杰   反向重復(fù)峰值電壓VRRM：1200V


 

　　一、揚(yáng)杰MG50P12E2 IGBT模塊規(guī)格參數(shù)

　　產(chǎn)品類型：IGBT模塊

　　產(chǎn)品型號(hào)：MG50P12E2

　　產(chǎn)品描述：1200V 50A

　　產(chǎn)品封裝：E2

　　產(chǎn)品品牌：揚(yáng)杰

　　反向重復(fù)峰值電壓VRRM：1200V

　　正向平均電流IF：50A

　　飽和壓降 VCE： 1.9V

　　工作溫度范圍：-40℃~+150℃

揚(yáng)杰MG50P12E2 IGBT模塊

　　二、揚(yáng)杰MG50P12E2 IGBT模塊規(guī)格書

1

2

　　三、揚(yáng)杰MG50P12E2 IGBT模塊的性能特點(diǎn)

　　1、高性價(jià)比：相較于其他類似產(chǎn)品，揚(yáng)杰MG50P12E2 IGBT模塊具有更高的性價(jià)比。

　　2、高可靠性：具有高抗電壓、高抗電流能力，同時(shí)具有反向恢復(fù)能力。

　　3、相容性強(qiáng)：適用于各種高功率電子應(yīng)用，如電力逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。

　　4、使用方便：具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，易于使用和維護(hù)。

 

　　四、揚(yáng)杰MG50P12E2 IGBT模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

　　1、電力逆變器：能夠幫助逆變器實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換，從而節(jié)約能耗。

　　2、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器：能夠幫助電機(jī)驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)更高效的功率輸出，提高電機(jī)轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩。

　　3、其他高功率電子應(yīng)用：適用于各種高功率電子應(yīng)用領(lǐng)域。

 

　　揚(yáng)杰MG50P12E2 IGBT模塊是一種具有優(yōu)秀性能的電力半導(dǎo)體裝置，廣泛應(yīng)用于各種高功率電子應(yīng)用領(lǐng)域中。它具有高性價(jià)比、高可靠性、相容性強(qiáng)、使用方便等特點(diǎn)，并且在技術(shù)指標(biāo)上表現(xiàn)卓越。如果您正在尋找一款高性能的IGBT模塊，那么揚(yáng)杰MG50P12E2 IGBT模塊將是您的不二選擇。

            

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