現(xiàn)階段研制開發(fā)高電壓陶瓷電容器有鈦酸鋇基瓷和鈦酸鍶。第一類鈦酸鋇基陶瓷材料有不錯的交流耐壓性能與介電系數(shù)，但存在著介質(zhì)溫度升高、絕緣電阻降低等問題。最后表明：鈦酸鍶晶體在-250℃時居里溫度為-250℃，是一種順電體，且無自發(fā)極化，在高電壓下，陶瓷材料介電系數(shù)變化小，tgδ及電容變化率小，因此它作為高壓電容器介質(zhì)具有不錯的優(yōu)勢。

       是片式電子元件中運(yùn)用最普遍的一種，又被稱為片形獨(dú)石電容器，具有尺寸小、高精度等特點(diǎn)，可貼裝在印制電路板、混合集成電路基片上，有效縮小了電子信息終端產(chǎn)品的體型、重量，提高了產(chǎn)品可靠性。隨著IT產(chǎn)業(yè)向微型化、輕量型、高性能、多功能化方向發(fā)展，2010年的遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要中有指示，將表面貼裝件等新電子元件作為電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)。

       該方法封裝簡單，密封性能好，可有效地隔離異性電極。MLCC可在電子線路上起儲存電荷、阻隔直流、濾波、反干擾、區(qū)分不同頻率以及實(shí)現(xiàn)電路調(diào)節(jié)等功能。它可以部分替代有機(jī)薄膜電容和電解電容，在高頻開關(guān)電源、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)電源和移動通訊設(shè)備中，極大地提高了高頻開關(guān)電源的濾波性能和抗干擾能力。

（1）對BaTiO3來講，晶界層陶瓷電容晶粒生長發(fā)育比較完整的BaTiO3半導(dǎo)體表面，涂覆恰當(dāng)?shù)慕饘傺趸铮谇‘?dāng)?shù)臏囟认聼崽幚?，氧化膜與BaTiO3形成低共溶液相，沿開口氣孔和晶界迅速擴(kuò)散，在陶瓷內(nèi)部形成一層薄薄的固溶體絕緣層。這一薄的固溶體絕緣層具有很高的電阻率，盡管陶瓷粒子內(nèi)部還是以半導(dǎo)體為主，但是整個陶瓷體在顯介電常數(shù)上表現(xiàn)出2×104~8×104的高質(zhì)量絕緣介質(zhì)。

（2）表面陶瓷電容，電容器的微型化，即電容器以最大限度小的體型得到盡可能大的容量，是電容器發(fā)展的趨勢之一。對分離電容器組件來講，微型化的基本途徑有兩條：①盡量提高介質(zhì)材料的介電常數(shù)；②使介質(zhì)層厚度盡量減小。對于陶瓷材料，鐵電陶瓷具有非常高的介電常數(shù)，但是，要想用鐵電陶瓷制作普通鐵電陶瓷電容時，陶瓷介質(zhì)很難實(shí)現(xiàn)。第一是由于鐵電陶瓷強(qiáng)度低，在薄板上易碎裂，難以實(shí)際生產(chǎn)操作；第二，陶瓷介質(zhì)很薄，易產(chǎn)生各種組織缺陷，生產(chǎn)工藝?yán)щy。